InGaAs Lawinenfotomodul GTA5016

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InGaAs Lawinenfotomodul GTA5016
  • JT
  • Xiamen, China
  • 7 Arbeitstage
  • 1.000

Die InGaAs Avalanche Photo Diode (APD)-Modulfamilie GTA5016 bietet ein Modul mit hohem Multiplikationsfaktor.

☆ Wellenlängenbereich: 1000 nm bis 1650 nm 
☆ Erkennungsbereichsgröße: 30 um 
☆ Multiplication factor : Type M > 60
☆ Sowohl Koaxialgehäuse als auch Butterfly-8-Pin-Gehäuse

Anwendung
☆ OTDR (optisches Zeitbereichsreflektometer)
☆ Optische Instrumentierer


QUALITÄT ERSTE, GEMEINSAM TEILEN.

APD-SerieGTA5016GTA5050GTB9001
Wellenlänge1000 um ~ 1650 nm
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OTDR optical time domain reflectometerInGaAs APD GTA5016.pdf

OTDR optical time domain reflectometerInGaAs APD mit NTC GTA5050.pdf

OTDR optical time domain reflectometerInGaAs APD-Schmetterling GTB9001.pdf


Die InGaAs-Avalanche-Fotodiodenmodulfamilie nutzt eine hohe Linearität,Niedriger Dunkelstrom, hohe Reaktionsfähigkeit. hoher Multiplikationsfaktor InGaAs APD-Chip.


KontaktJunte-Kommunikationfür mehr Informationen .

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