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InGaAs APD-Modul 8-polig GTB9001
InGaAs APD-Modul 8-polig GTB9001

InGaAs APD-Modul 8-polig GTB9001

Das InGaAs Avalanche Photodiodenmodul (APD) der Butterfly-Familie GTB9001 liefert ein Modul mit hohem Multiplikationsfaktor.

☆ Wellenlängenbereich: 1000 nm bis 1650 nm 
☆ Größe des Erfassungsbereichs: 30 µm 
☆ Multiplication factor : Type M > 60
☆ Sowohl Koaxialgehäuse als auch Butterfly-8-Pin-Gehäuse

Anwendung
☆ OTDR (optisches Zeitbereichsreflektometer)
☆ Optische Instrumentierer


QUALITÄT STEHT AN ERSTER STELLE, GEMEINSAM TEILEN.

  • JT
  • Xiamen, China
  • 11 - 13 Werktage
  • 300
  • Information
APD-SerieGTA5016GTA5050GTB9001
Wellenlänge1000 um ~ 1650 nm
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OTDR optical time domain reflectometerInGaAs APD GTA5016.pdf


OTDR optical time domain reflectometerInGaAs APD mit NTC GTA5050.pdf


High multiplication factor APDInGaAs APD-Schmetterling GTB9001.pdf


Die InGaAs Avalanche Photodiodenmodulfamilie verwendet hohe Linearität,niedriger Dunkelstrom, hohe Empfindlichkeit, hoher Multiplikationsfaktor InGaAs APD-Chip.


KontaktJunte-Kommunikationfür mehr Informationen .

Größe und Tag
OTDR optisches Zeitbereichsreflektometer 1310 nm 1550 nm 1625 nm 1650 nm Pulslaser Hoher Multiplikationsfaktor APD 1100 nm 1600 nm Glasfaserkommunikation Informationsmanagement
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