InGaAs Lawinenfotomodul APD

Die InGaAs-Avalanche-Fotodiodenmodulfamilie nutzt eine hohe Linearität,Niedriger Dunkelstrom, hohe Reaktionsfähigkeit. hoher Multiplikationsfaktor InGaAs APD-Chip.


☆ Wellenlängenbereich: 1000 nm bis 1650 nm  
☆ Erkennungsbereichsgröße: 30 um  
☆ Multiplikationsfaktor: Typ M>60 
☆ Sowohl Koaxialgehäuse als auch Butterfly-8-Pin-Gehäuse 

Anwendung 
☆ OTDR (optisches Zeitbereichsreflektometer) 
☆ Optische Instrumentierer


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