InGaAs Lawinenfotomodul APD
Die InGaAs-Avalanche-Fotodiodenmodulfamilie nutzt eine hohe Linearität,Niedriger Dunkelstrom, hohe Reaktionsfähigkeit. hoher Multiplikationsfaktor InGaAs APD-Chip.
☆ Wellenlängenbereich: 1000 nm bis 1650 nm
☆ Erkennungsbereichsgröße: 30 um
☆ Multiplikationsfaktor: Typ M>60
☆ Sowohl Koaxialgehäuse als auch Butterfly-8-Pin-Gehäuse
Anwendung
☆ OTDR (optisches Zeitbereichsreflektometer)
☆ Optische Instrumentierer
